| 型号： | DMN2005LP4K-7 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| DMN2005LP4K-7 PDF |  |
| 其它图纸 | DFN1006H4-3 Side DFN1006H4-3 Bottom |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 900mV @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 41pF @ 3V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN2005LP4KDIDKR |